IT之家 9 月 27 日音讯，佳能日本东京当地时间昨日宣告，将在同日向总部在美国得克萨斯州的半导体联盟得克萨斯电子研究所（TIE）交给佳能最先进的纳米压印光刻 NIL 体系FPA-1200NZ2C。
得克萨斯电子研究所成立于 2021 年，由得克萨斯当地政府、半导体企业（IT之家注：包含英特尔在内）、美国国家研究机构和其它实体组成，得到了得克萨斯大学奥斯汀分校的支撑。
该联盟对外供给对半导体研制方案和原型设备的拜访权限，以协助处理与先进半导体技能（包含先进封装技能）相关的问题。
佳能的 FPA-1200NZ2C 体系可完成最小 14nm 线nm 制程逻辑半导体出产。该设备将在得克萨斯电子研究所用于先进半导体的研制和原型的出产。
传统的光刻设备经过将高能光线投射到涂有光刻胶的晶圆上来刻画电路图形，而佳能 FPA-1200NZ2C 体系则经过将印有电路图形的掩模像印章相同压入晶圆上的光刻胶内来完成这一进程。
因为其电路图形搬运进程不经过光学过程，NIL 光刻设备能在晶圆上忠诚再现掩模中的精密电路图形。此外NIL 光刻设备还具有低功耗低成本的优势。
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